[发明专利]DDR2读写操作数字延迟链工艺-温度-电压控制器电路有效
| 申请号： | 201310010044.8 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103226969A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 吕新浩;孙翼;高鹏;马涛 | 申请（专利权）人： | 昆山慧凝微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 张苏沛 |
| 地址： | 215345 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DDR2读写操作数字延迟链工艺-温度-电压控制器电路，通过检测DDR2控制器和DDR2存储器之间的命令，输出同步数字延迟链使能信号至DDR2读写操作数字延迟链控制器。当DDR2控制器命令检测器检测到刷新命令时，工艺-温度-电压自动调整控制器在DDR2读写操作数字延迟链锁定的前提下，输出更新DDR2读写操作数字延迟链使能信号至DDR2读写操作数字延迟链控制器。本发明在DDR2控制器刷新命令操作阶段，DQS和DQ信号处于无效状态下，可以安全可靠、高精度地对DDR2读写操作数字延迟链进行动态更新。 | ||
| 搜索关键词： | ddr2 读写 操作 数字 延迟 工艺 温度 电压 控制器 电路 | ||
【主权项】：
一种DDR2读写操作数字延迟链工艺‑温度‑电压控制器电路，其特征在于：它包括DDR2控制器命令检测器、DDR2工艺‑温度‑电压调整控制器、DDR2写操作时钟数字延迟链控制器、DDR2写操作DQS数字延迟链控制器和DDR2读操作DQS数字延迟链控制器；该电路中，在DDR2控制器正常工作的情况下，DDR2控制器命令检测器检测DDR2控制器和DDR2存储器之间的命令信号，当检测到的命令为刷新(refresh)或者自动刷新(self refesh)时，输出refresh_state至DDR2工艺‑温度‑电压调整控制器；工艺‑温度‑电压发生变化时，DDR2工艺‑温度‑电压调整控制器在refesh_state有效的条件下，发出同步使能信号至DDR2写操作DQS数字延迟链控制器和DDR2读操作DQS数字延迟链控制器，更新读写操作数字延迟链。
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