[发明专利]外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310001441.9 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103035687A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 付军;王玉东;崔杰;赵悦;张伟;刘志弘;许平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管，为解决现有产品在外基区与集电区间有寄生电容耦合的问题而发明。本发明外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管包括硅外延层、局部氧化区、选择注入集电区、屏蔽结构、Si/SiGe/Si单晶外基区、本征基区Si/SiGe/Si外延层、多晶硅发射区、单晶发射区、Si/SiGe/Si多晶外基区、发射极金属电极以及基极金属电极。屏蔽结构包括屏蔽层和氧化硅层。本发明外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管及其制备方法采用低电阻屏蔽层有效地屏蔽了外基区与集电区间的寄生电容耦合，在保持现有技术优点的基础上进一步减小基极-集电极电容CBC，从而进一步提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 外基区下 具有 电阻 屏蔽 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管，其特征在于：所述晶体管包括第一导电类型的硅外延层，位于所述硅外延层内的局部氧化区和第一导电类型选择注入集电区，位于所述硅外延层和所述局部氧化区上方的屏蔽结构、Si/SiGe/Si单晶外基区和本征基区Si/SiGe/Si外延层，位于本征基区Si/SiGe/Si外延层上的第一导电类型重掺杂多晶硅发射区，位于本征基区Si/SiGe/Si外延层内且对应所述多晶硅发射区的第一导电类型重掺杂单晶发射区，位于所述屏蔽结构上的Si/SiGe/Si多晶外基区，连接所述多晶硅发射区的发射极金属电极，以及连接所述Si/SiGe/Si多晶外基区的基极金属电极；所述屏蔽结构包括屏蔽层和位于所述屏蔽层上下两侧的氧化硅层。
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