[发明专利]传送发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201280066486.8 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104106132A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | A·拜布尔;J·A·希金森;H-F·S·劳;胡馨华 | 申请（专利权）人： | 勒克斯维科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L33/00;H05K13/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;陈颖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述一种微发光二极管(LED)和一种形成用于向接收衬底传送的微LED阵列的方法。微LED结构可以包括微p-n二极管和金属化层，而金属化层在微p-n二极管与键合层之间。保形电介质屏障层可以跨越微p-n二极管的侧壁。可以拾取并且向接收衬底传送微LED结构和微LED阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 传送 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种向接收衬底传送微LED的方法，包括：将传送头置于载体衬底之上，所述载体衬底具有设置于其上的微LED结构阵列，每个微LED结构包括：微p‑n二极管；以及金属化层，其中所述金属化层在所述微p‑n二极管与在所述载体衬底上的键合层之间；执行操作以在所述键合层中创建针对所述微LED结构中的至少一个微LED结构的相变；用所述传送头拾取用于所述微LED结构之一的所述微p‑n二极管和所述金属化层；并且在接收衬底上放置用于所述微LED结构的所述微p‑n二极管和所述金属化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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