[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201280065718.8 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN104025300A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 岛津充;日吉透;和田圭司;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种碳化硅半导体器件(100)，其包括：绝缘膜(126)；碳化硅层(109)，该碳化硅层进一步包括被绝缘膜(126)覆盖的表面。该表面包括第一区域(R1)。第一区域(R1)至少部分地具有第一面取向。该第一面取向是(0-33-8)面、(30-3-8)面、(-330-8)面、(03-3-8)面、(-303-8)面和(3-30-8)面中的任何一个。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：绝缘膜，以及碳化硅层，所述碳化硅层具有被所述绝缘膜覆盖的表面，所述表面包括第一区域，所述第一区域至少部分地具有第一面取向，所述第一面取向是(0‑33‑8)面、(30‑3‑8)面、(‑330‑8)面、(03‑3‑8)面、(‑303‑8)面和(3‑30‑8)面中的任何一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280065718.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：除锈设备
- 下一篇：一种用于污水处理的厌氧池及污水处理装置
- 同类专利
- 专利分类
