[发明专利]包含结晶性材料的单元的加工方法和形成绝缘体上半导体构造的方法无效
申请号: | 201280048429.7 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN103858232A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 舒·秦;张明 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一些实施例包括含有结晶性材料的单元的加工方法。可在所述结晶性材料内形成损坏区域,且所述单元的一部分可位于所述损坏区域上方。可使用卡盘使所述单元弯曲且由此诱发沿所述损坏区域分裂,从而从所述单元的位于所述损坏区域上方的所述部分形成结构。一些实施例包括形成绝缘体上半导体构造的方法。可形成具有在单晶半导体材料上方的电介质材料的单元。可在所述单晶半导体材料内形成损坏区域,且所述单晶半导体材料的一部分可位于所述损坏区域与所述电介质材料之间。可将所述单元纳入具有手柄组件的组合件中,且可使用卡盘扭曲所述组合件且由此诱发沿所述损坏区域分裂。 | ||
搜索关键词: | 包含 结晶 材料 单元 加工 方法 形成 绝缘体 上半 导体 构造 | ||
【主权项】:
一种包含结晶性材料的单元的加工方法,其包含:在所述结晶性材料内形成损坏区域,所述单元的一部分位于所述损坏区域上方;和利用卡盘使所述单元弯曲且由此诱发沿所述损坏区域分裂,从而从所述单元的位于所述损坏区域上方的所述部分形成结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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