[实用新型]一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及含该AlN薄膜的电器元件有效
| 申请号： | 201220684097.9 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN203179935U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及含该AlN薄膜的电器元件，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的AlN薄膜层，所述Si衬底层的厚度为80－100μm，所述AlN薄膜层的厚度为3－5nm。在Si衬底层上生长AlN薄膜层，衬底与AlN之间的晶格失配度较低，获得的AlN晶体的质量较高；同时，通过控制Si衬底层和AlN薄膜层的厚度，为生长高质量GaN薄膜打下坚实的基础。本实用新型适合应用在LED器件、光探测器等电器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 衬底 aln 薄膜 电器元件 | ||
【主权项】：
一种生长在Si衬底上的AlN薄膜，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的AlN薄膜层，所述Si衬底层的厚度为80－100μm，所述AlN薄膜层的厚度为3－5nm。
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