[实用新型]一种带沟槽的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201220655256.2 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN203085625U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王立彬;赖鸿章 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种带沟槽的发光二极管芯片，涉及光电技术领域。本实用新型包括衬底和在衬底上生长的外延材料。其结构特点是，所述发光二极管芯片内部（非切割道区域）的上表面设有一个至多个任意排列的增光沟槽。本实用新型通过在芯片表面增加一个至多个增光沟槽，能有效提高发光二极管的出光效率，提高芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种带沟槽的发光二极管芯片，它包括衬底和在衬底上生长的外延材料，其特征在于，所述发光二极管芯片（1）内部的上表面设有一个至多个增光沟槽（6）。2、 根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述增光沟槽（6）的深度在芯片中的GaN层内，也可以达到芯片中的Al2O3衬底层内，或者达到芯片中GaN与Al2O3衬底界面处。3、 根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述增光沟槽（6）通过ICP刻蚀、化学腐蚀或者激光加工获得。
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