[实用新型]一种用于硅单晶制备的区熔线圈有效
申请号: | 201220640902.8 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN203049078U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 王遵义;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;刘铮;涂颂昊;乔柳;冯啸桐 | 申请(专利权)人: | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
主分类号: | C30B13/20 | 分类号: | C30B13/20 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 李莉华 |
地址: | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型提供一种用于硅单晶制备的区熔线圈,包括线圈骨架和线圈冷却水管,所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内,其特征在于:所述线圈为平板单匝结构,所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶,所述线圈骨架内圆处开有贯通上下表面的十字切缝,沿顺时针方向分别为第一切缝、第二切缝、第三切缝和第四切缝,在所述线圈骨架外圆沿第一切缝方向的一侧设有连接电极的法兰,所述法兰与第一切缝间开有一条主缝,所述线圈骨架上沿第三切缝方向还开有一条副缝,所述主缝和副缝的宽度均小于所述十字切缝的宽度。本实用新型的有益效果是提供一种热场均匀、熔硅下行顺畅、成晶率高的用于硅单晶制备的区熔线圈。 | ||
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【主权项】:
一种用于硅单晶制备的区熔线圈,包括线圈骨架和线圈冷却水管,所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内,其特征在于:所述线圈为平板单匝结构,所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶,所述台阶底部一端与所述线圈骨架内圆上边沿连接成斜面,与水平面呈一倾斜角;所述线圈骨架内圆处开有贯通上下表面的十字切缝,沿顺时针方向分别为第一切缝、第二切缝、第三切缝和第四切缝,在所述线圈骨架外圆沿第一切缝方向的一侧设有连接电极的法兰,所述法兰与第一切缝间开有一条主缝,所述线圈骨架上沿第三切缝方向还开有一条副缝,所述主缝和副缝的宽度均小于所述十字切缝的宽度。
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