[实用新型]中空二氧化硅的喷烧装置有效
| 申请号： | 201220637596.2 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN202945066U | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋学鑫;蒋玉楠 | 申请（专利权）人： | 蚌埠鑫源石英材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 安徽信拓律师事务所 34117 | 代理人： | 娄尔玉 |
| 地址： | 233400 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种中空二氧化硅的喷烧装置，以解决目前缺少制备中空二氧化硅使用的喷烧设备的问题，涉及硅材料及材料改性生产设备领域，该装置包括相互连接的喷烧部分和集料部分，所述喷烧部分包括一端设置有物料出口的喷烧腔，所述喷烧腔与物料出口相对的一端设置有喷烧器，喷烧器中部设置了进料通道；所述集料部分下端设置出料口。本实用新型提供的中空二氧化硅的喷烧装置，结构设计简单，使用方便，适用于制备中空二氧化硅，中空二氧化硅等中空粉体材料通过喷烧器向上喷烧或水平方向喷烧，便于比重较小的中空二氧化硅收集。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 二氧化硅 装置 | ||
【主权项】：
一种中空二氧化硅的喷烧装置，其特征在于：该装置包括相互连接的喷烧部分和集料部分，所述喷烧部分包括一端设置有物料出口的喷烧腔，所述喷烧腔与物料出口相对的一端设置有喷烧器，喷烧器中部设置了进料通道；所述集料部分下端设置出料口。
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