[实用新型]具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉积设备有效
申请号: | 201220610564.3 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN203159707U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 刘祥林 | 申请(专利权)人: | 刘祥林 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明是一种具有多个子反应器的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备。该设备包括气路装置和多个子反应器。利用共用气路设备和分气装置,至少两套完全相同的MOCVD子反应器在相同的条件下同时生长以得到一致的外延薄膜或者器件结构。通过增加子反应器的个数而不是增加单个反应器的容量来提高MOCVD设备的批产量,克服了提高单个反应器容量引起的流场和温场控制的困难,从而得到可以大规模生产的MOCVD设备。 | ||
搜索关键词: | 具有 个子 反应器 结构 金属 有机化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉积设备,其特征在于,包括: 共用气路(101),所述共用气路(101)包括MO源、氮气、氨气、氢气气路;反应室(160),每个反应室包括多个子反应器(161); 子反应器分气装置(111),从所述共用气路(101)得到子反应器(161)中MOCVD外延所需要的各种气氛,控制各种气体的流量; 压强控制系统(170),控制整个反应室(160)的压强; 其中所述子反应器(161)包括: 子反应器匀气罩(121),控制子反应器中的气流状态; 子反应器旋转轴(151),带动子反应器衬底托盘(131)旋转; 子反应器衬底托盘(131),由子反应器旋转轴(151)带动旋转; 子反应器加热器(141),用来对子反应器衬底托盘(131)加热。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的