[实用新型]一种外延标记有效
申请号: | 201220587145.2 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN203103295U | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 杨彦涛;王平;苏兰娟;钟荣祥;袁志松 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;G03F9/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种外延标记,包括:衬底;埋层光刻标记,形成在衬底上;第一消耗层,以埋层光刻标记为边界形成在衬底中;埋层氧化层,形成在第一消耗层上;第二消耗层,以埋层光刻标记为边界形成在衬底中且包围第一消耗层,其中,第一消耗层和第二消耗层在埋层光刻标记边界相接处形成台阶差作为光刻对准标记;第二氧化层,以埋层光刻标记为边界形成在第二消耗层上;第一氧化层,以埋层光刻标记为边界形成在第二氧化层上;外延层,形成在衬底之上,位于第二消耗层、第二氧化层和第一氧化层与衬底边沿之间的打开口处。本实用新型可以使埋层标记不发生外延漂移和畸变,降低光刻对偏,避免因光刻对偏产生的返工率和报废率。 | ||
搜索关键词: | 一种 外延 标记 | ||
【主权项】:
一种外延标记,包括: 衬底; 埋层光刻标记,形成在所述衬底上; 第一消耗层,以所述埋层光刻标记为边界形成在所述衬底中; 埋层氧化层,形成在所述第一消耗层上; 第二消耗层,以所述埋层光刻标记为边界形成在所述衬底中且包围所述的第一消耗层,其中,所述第一消耗层和第二消耗层在所述埋层光刻标记边界相接处形成台阶差作为光刻对准标记; 第二氧化层,以所述埋层光刻标记为边界形成在所述第二消耗层上; 第一氧化层,以所述埋层光刻标记为边界形成在所述第二氧化层上; 外延层,形成在所述衬底之上,位于所述第二消耗层、第二氧化层和第一氧化层与衬底边沿之间的打开口处。
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