[实用新型]背接触薄片电池有效

专利信息
申请号: 201220559952.3 申请日: 2010-01-19
公开(公告)号: CN202948939U 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 彼得·约翰·卡曾斯 申请(专利权)人: 太阳能公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/068
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;崔利梅
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种太阳能电池,使用硅晶片(101)的薄片(130)作为衬底。薄片(130)具有在正常操作期间面向太阳的正面。薄片(130)的正面包括来自沿晶片(101)的厚度的表面,从而允许更有效地使用硅。薄片(130)的背面上形成金属接触(114和115)。金属接触(114和115)电连接至太阳能电池的发射极和基极,太阳能电池的发射极和基极可以形成在薄片(130)内或者由多晶硅制成。例如,太阳能电池的发射极可以是P型掺杂区域(125),太阳能电池的基极可以是N型掺杂区域(124)。太阳能电池还可以包括形成在所述薄片(130)的正面上的抗反射涂层(107)。抗反射涂层(107)可以位于薄片(130)的正面上的纹理表面之上。
搜索关键词: 接触 薄片 电池
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:硅晶片的薄片,所述薄片具有正面和背面,所述薄片的正面被配置为在正常操作期间面向太阳,所述薄片的背面与薄片的正面相反,所述薄片的正面包括来自沿所述硅晶片的厚度的表面;第一材料层,其形成在所述薄片的背面上;第一掺杂区域,配置为所述太阳能电池的基极;第二掺杂区域,其形成在所述第一材料层上并且配置为所述太阳能电池的发射极;以及第一金属接触和第二金属接触,形成在所述薄片的背面上,第一金属接触电耦合至第一掺杂区域,第二金属接触电耦合至第二掺杂区域。
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