[实用新型]背接触薄片电池有效
申请号: | 201220559952.3 | 申请日: | 2010-01-19 |
公开(公告)号: | CN202948939U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 彼得·约翰·卡曾斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;崔利梅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种太阳能电池,使用硅晶片(101)的薄片(130)作为衬底。薄片(130)具有在正常操作期间面向太阳的正面。薄片(130)的正面包括来自沿晶片(101)的厚度的表面,从而允许更有效地使用硅。薄片(130)的背面上形成金属接触(114和115)。金属接触(114和115)电连接至太阳能电池的发射极和基极,太阳能电池的发射极和基极可以形成在薄片(130)内或者由多晶硅制成。例如,太阳能电池的发射极可以是P型掺杂区域(125),太阳能电池的基极可以是N型掺杂区域(124)。太阳能电池还可以包括形成在所述薄片(130)的正面上的抗反射涂层(107)。抗反射涂层(107)可以位于薄片(130)的正面上的纹理表面之上。 | ||
搜索关键词: | 接触 薄片 电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:硅晶片的薄片,所述薄片具有正面和背面,所述薄片的正面被配置为在正常操作期间面向太阳,所述薄片的背面与薄片的正面相反,所述薄片的正面包括来自沿所述硅晶片的厚度的表面;第一材料层,其形成在所述薄片的背面上;第一掺杂区域,配置为所述太阳能电池的基极;第二掺杂区域,其形成在所述第一材料层上并且配置为所述太阳能电池的发射极;以及第一金属接触和第二金属接触,形成在所述薄片的背面上,第一金属接触电耦合至第一掺杂区域,第二金属接触电耦合至第二掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的