[实用新型]一种全铝背场晶体硅电池有效
| 申请号： | 201220536470.6 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN202996849U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 郭进;姬常晓;刘文峰;任哲 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种全铝背场晶体硅电池。该全铝背场晶体硅电池，包括硅片层（7），在硅片层（7）背面依次贴合有P+钝化层（5）和铝背导电层（4），该铝背导电层（4）上设有背电极（6）。这种电池结构避免了银和硅片的直接接触，从而极大的降低了背电极区域的复合缺陷；可以大幅提高晶体硅电池的光电转换效率；与常规电池相比，该种背电极不用考虑和背场的重叠面积，可以降低电极宽度，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全铝背场 晶体 电池 | ||
【主权项】：
一种全铝背场晶体硅电池，包括硅片层（7），其特征是，在硅片层（7）背面依次贴合有P+钝化层（5）和铝背导电层（4），该铝背导电层（4）上设有背电极（6）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
