[实用新型]一种n-p-p⁺结构的CdTe薄膜太阳能电池有效

申请号：	201220530509.3	申请日：	2012-10-17
公开（公告）号：	CN203103315U	公开（公告）日：	2013-07-31
发明（设计）人：	张传军;邬云华;王善力;褚君浩	申请（专利权）人：	上海太阳能电池研究与发展中心
主分类号：	H01L31/0296	分类号：	H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/068
代理公司：	上海新天专利代理有限公司 31213	代理人：	郭英
地址：	上海市浦东新区***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本实用新型公开了一种n-p-p+结构的CdTe薄膜太阳能电池，包括：衬底，在衬底上依次置有金属Mo背电极、重掺杂p＋-CdTe层、弱p型CdTe层、n-CdS层、前电极透明导电氧化物薄膜。其优点是：p-CdTe／p＋-CdTe同质结避免了界面的晶格失配和能带的不连续；重掺杂p＋-CdTe改善了p-CdTe层的内建电场，提高了载流子的收集率，显著降低了金属背电极和p＋-CdTe层间的接触势垒，提高了电池的开路电压；调节p-CdTe层的厚度可以实现对入射光辐射的最大吸收和转化，整个制备工艺可以在低于400℃的温度下进行。
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【主权项】：

一种n‑p‑p+结构的CdTe薄膜太阳能电池，包括：衬底(6)，其特征在于：在衬底上依次置有金属Mo背电极(5)、重掺杂p+‑CdTe层(4)、弱p‑型CdTe层(3)、n‑CdS层(2)、前电极透明导电氧化物薄膜(1)。

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