[实用新型]位于GaAs衬底双面的三结太阳能电池

摘要

本实用新型涉及一种位于GaAs衬底双面的三结太阳能电池，包括GaAs衬底、第一结InxGa1-xAs电池、第二结GaAs电池和第三结GaInP电池，其特点是：第一结InxGa1-xAs电池制于GaAs衬底一面，第二结GaAs电池和第三结GaInP电池制于GaAs衬底另一面；GaAs衬底为厚度大于500微米的n型GaAs片。本实用新型通过将三个单结电池制于厚度大于500微米的GaAs衬底的双面，既实现了隔离晶格失配产生的位错对生长在衬底反面的第二结电池和第三结电池的影响，提高了电池光电转换效率，保证了电池性能的稳定，简化了电池制作工艺、降低了电池制作成本，提高了电池的生产效率，易于实现规模生产。

主权项

位于GaAs衬底双面的三结太阳能电池，包括GaAs衬底、第一结InxGa1‑xAs电池、第二结GaAs电池和第三结GaInP电池，其特征在于：所述第一结InxGa1‑xAs电池制于GaAs衬底的一面，所述第二结GaAs电池和第三结GaInP电池制于GaAs衬底的另一面；GaAs衬底为厚度500‑800微米的n型GaAs片。