[实用新型]多晶体管结构及具有该结构的半导体器件有效
申请号: | 201220444620.0 | 申请日: | 2012-09-03 |
公开(公告)号: | CN202940239U | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 刘轶 | 申请(专利权)人: | 池州睿成微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L21/77 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 章登亚 |
地址: | 247000 安徽省池州市贵池区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多晶体管结构及具有该结构的半导体器件,所述多晶体管半导体器件是由两个不同的部分组成的;第一部分组成了第一个晶体管,而另一部分则是第二个晶体管。特别的,第一部分同时也是第二部分的组件。也就是说,第一个晶体管和第二个晶体管都是由同一种结构制作而成的。这样在单一的这种结构中实现多种设备功能,设备集成度高。 | ||
搜索关键词: | 多晶体 结构 具有 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种多晶体管结构,其特征在于包括:拥有基极部分和发射极部分的第一个晶体管;以及拥有一个基极和集电极的第二个晶体管;同时第一个晶体管的发射极部分被进一步作为第二个晶体管的基极部分,而第一个晶体管的基极部分则被作为第二个晶体管的集电极部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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