[实用新型]晶体生长装置有效
| 申请号： | 201220438861.4 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN202809009U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 于仁斌;张宸玮;谢佳颖;梁茂忠 | 申请（专利权）人： | 志圣科技（广州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 任琳 |
| 地址： | 510850 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶体生长装置，属于晶体技术领域，旨在提供一种提高长晶效果的新装置，其技术方案的要点包括炉体，及炉体内的腔室，其中所述的腔室内设有长晶平台，该长晶平台具有一顶面及一底面；在所述的顶面上设有放置原料及晶种的坩埚，在坩埚的外侧设有加热单元，在长晶平台的底面设有由高导热材料制作的传热体,传热体底部连接有流体式热交换器；本实用新型用于晶体生长。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体生长装置，包括炉体，及炉体内的腔室，其特征在于，所述的腔室内设有长晶平台，该长晶平台具有一顶面及一底面；在所述的顶面上设有放置原料及晶种的坩埚，在坩埚的外侧设有加热单元，在长晶平台的底面设有由高导热材料制作的传热体，传热体底部连接有流体式热交换器。
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