[实用新型]太阳电池用Si与GaInAs外延片的低温键合结构

摘要

本实用新型涉及一种太阳电池用Si与GaInAs外延片的低温键合结构，包括低温键合成一体的圆片状Si衬底和圆片状GaInAs外延片，其特点是：所述Si衬底的键合面上布满形成阵列的竖直微气孔；所述竖直微气孔的孔径t=∮5μm、深度1μm；所述阵列为相邻孔距s=100μm-400μm的若干竖直微气孔形成。本实用新型由于在Si衬底的键合面上制有竖直微气孔阵列作为通道，Si衬底与GaInAs外延片低温键合时，出现的微孔洞、微气泡随着键合时的压力进入作为通道的竖直微气孔中，避免了Si衬底与GaInAs外延片接触面之间存在微孔洞、微气泡，有效提高了太阳电池的性能。

主权项

太阳电池用Si与GaInAs外延片的低温键合结构，包括低温键合成一体的圆片状Si衬底和圆片状GaInAs外延片，其特征在于：所述Si衬底的键合面上布满形成阵列的竖直微气孔。