[实用新型]一种具有超大离子束发散角的离子源有效

专利信息
申请号: 201220376962.3 申请日: 2012-08-01
公开(公告)号: CN202705458U 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 徐均琪;苏俊宏;惠迎雪;杭凌侠;弥谦;严一心 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种用在光学真空镀膜机(离子束辅助沉积设备)或离子束溅射及刻蚀设备中的离子源,特别涉及一种具有超大离子束发散角的离子源。其技术方案是:包括气体放电室,气体放电室的一端设置有绝缘端盖,绝缘端盖外部设置有聚焦磁场产生单元和磁场扫描单元。本实用新型通过一组正交的磁场,对引入磁场中的离子束方向进行控制,通过设定X、Y方向电磁线圈的电压变化规律,可以实现离子束的空间扫描。调节电磁线圈的电流大小,就可以实现离子束的空间发散角控制。与现有技术相比,本实用新型的优点是:1.离子源输出的离子束发散角可达180°;2.离子束发散角可以根据实际需要进行调节,可满足不同薄膜沉积过程的需要;3.离子束流密度的均匀性好。
搜索关键词: 一种 具有 超大 离子束 发散 离子源
【主权项】:
一种具有超大离子束发散角的离子源,包括气体放电室(10),气体放电室(10)的一端设置有绝缘端盖(9),绝缘端盖(9)的中部设置有离子束出孔,其特征在于:绝缘端盖(9)外部设置有聚焦磁场产生单元(1)和磁场扫描单元,聚焦磁场产生单元(1)的中部设置有离子束过孔;所述磁场扫描单元包括从下向上依次设置的下盖板(3)、中盖板(5)及上盖板(7),所述下盖板(3)与中盖板(5)之间设置有一对横向磁极(4),横向磁极(4)的磁极两端分别连接横向电磁线圈(8);所述中盖板(5)与上盖板(7)之间设置有一对纵向磁极(6)、纵向磁极(6)的两端分别连接纵向电磁线圈(11),所述聚焦磁场产生单元(1)和磁场扫描单元的下盖板(3)之间设置有磁屏蔽板(2),磁屏蔽板(2)的中部设置有离子束过孔;所述下盖板(3)正中心设置有离子束入射孔,中盖板(5)及上盖板(7)正中心设置有离子束出射孔,所述离子束出射孔直径大于下盖板(3)到上盖板(7)的总高度的2倍再加上离子束入射孔直径之和。
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