[实用新型]双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201220325576.1 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN202633321U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 王玥;王东兴 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 哈尔滨东方专利事务所 23118 | 代理人： | 陈晓光 |
| 地址： | 150040 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本实用新型用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 双肖特基结 氧化锌 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板，其特征是：所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层，所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层，所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层。
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