[实用新型]一种用于有毒有害气体分析仪的热释电光谱探测器有效
| 申请号： | 201220323818.3 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN202649102U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李永辉;易宏;黄家新 | 申请（专利权）人： | 昆明斯派特光谱科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 郭德忠;高燕燕 |
| 地址： | 651060 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型属于光电及微机电系统技术领域，涉及一种热释电光谱探测器，特别涉及一种用于有毒有害气体分析仪的热释电光谱探测器。包括硅单晶、绝热层、下电极层、光电薄膜、上电极层和芯片保护层，在硅单晶表面由内至外设有绝热层、下电极层、光电薄膜、上电极层及芯片保护层，所述绝热层和光电薄膜通过下电极层键合在一起。本实用新型采用无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜材料作为热绝缘结构，克服了目前采用微桥结构、悬空结构和空气隙结构作为集成式器件热绝缘结构的存在的机械强度差、容易发生龟裂、坍塌、脱落等问题，提高了集成式热释电光谱探测器芯片的力学性能及抗冲击性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 有毒 有害 气体 分析 热释电 光谱 探测器 | ||
【主权项】：
一种用于有毒有害气体分析仪的热释电光谱探测器，其特征在于：包括硅单晶（1）、绝热层（2）、下电极层（3）、光电薄膜（4）、上电极层（5）和芯片保护层（6），在硅单晶（1）表面由内至外设有绝热层（2）、下电极层（3）、光电薄膜（4）、上电极层（5）及芯片保护层（6），所述绝热层（2）和光电薄膜（4）通过下电极层（3）键合在一起。
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