[实用新型]一种薄膜光伏电池有效
申请号: | 201220321431.4 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN202721170U | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 | 申请(专利权)人: | 广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省东莞市松山湖科技*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种薄膜光伏电池,它包括钠钙玻璃基板和薄膜层,薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上,所述薄膜层的上表面设置“p-n结”区域,所述钠钙玻璃基板和薄膜层中间镀有厚钼薄膜,所述薄膜层上面镀有硫化镉;本实用新型采用高温,四元素固态靶材,“硫化”与“四元素溅射”是同步的,既有稳定快速的控制,更有可靠的重复性和节约硫化氢的材料,可保证铜铟镓硒薄膜层在不同深度的“硫”,进而完成铜铟镓硒薄膜层间最优化的分布,具有均衡性,提高转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 电池 | ||
【主权项】:
一种薄膜光伏电池,其特征在于:它包括钠钙玻璃基板(1)和薄膜层(3),薄膜层(3)电镀在钠钙玻璃基板(1)上,所述薄膜层(3)的上表面设置“p‑n结”区域(11),所述钠钙玻璃基板(1)和薄膜层(3)中间镀有厚钼薄膜(2),所述薄膜层(3)上面镀有硫化镉(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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