[实用新型]DRAM阵列

摘要

描述了一种具有成对单元的6F2DRAW单元。在一个实施例中，由具有限定虚设字线的栅极的n型隔离晶体管将所述单元对分隔开。由具有有利于p沟道器件的功函数的金属制造虚设字线。

主权项

一种DRAM阵列，包括： 一对单元，每个单元都包括存取晶体管和电容器，所述存取晶体管具有限定了沟道区域的n型源极/漏极区域，第一对单元中的每个存取晶体管的一个源极/漏极区域连接到用于提供与位线的连接的公共过孔接触部，每个存取晶体管的另一源极/漏极区域通过由n型源极/漏极区域限定的公共沟道区域而与邻近单元对中的存取晶体管的其它源极/漏极区域分隔开； 存取字线，所述存取字线大体上垂直于所述位线而延伸，每条存取字线在存取晶体管的沟道区域之上延伸，所述存取字线包括具有有利于n沟道器件的功函数的材料；以及 虚设字线，所述虚设字线大体上垂直于所述位线而延伸，每条虚设字线在所述公共沟道区域中的一个之上延伸，所述虚设字线包括具有有利于p沟道器件的功函数的材料。