[实用新型]一种栅极结构、TFT器件及显示装置有效
| 申请号： | 201220255205.0 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN202662608U | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 史大为;郭建 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;迟姗 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种栅极结构、TFT器件及显示装置，涉及显示技术领域。所述栅极结构包括漏极基底区域，所述漏极基底区域具有中空结构。所述TFT器件包括上述的栅极结构，所述显示装置包括上述的TFT器件，本实用新型可以减小栅极与漏极之间重叠面积，从而减小TFT器件上漏极与栅极间的交叠电容CGD，进而降低V-Block MURA的发生率，提高了显示装置的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 结构 tft 器件 显示装置 | ||
【主权项】：
一种栅极结构，其特征在于，所述栅极结构包括漏极基底区域，所述漏极基底区域具有中空结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220255205.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
