[实用新型]磁控溅射靶材有效
| 申请号： | 201220226070.5 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN202576553U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;钟伟华 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射靶材，所述磁控溅射靶材具有溅射面，与现有平面结构型溅射面不同的是，所述溅射面具有磁场强度设计轮廓，即磁控溅射靶材在不同位置的厚度是按照磁场的强弱来设计的，磁控溅射靶材在磁场强的位置的厚度较大、在磁场弱的位置的厚度较小，使得溅射后期磁控溅射靶材的溅射面更加平整，从而使得溅射参数保持稳定，增加了磁控溅射靶材的寿命；进一步地，磁控溅射靶材的溅射面向磁控溅射靶材的中心凹陷，以使溅射时靶材原子能够充分向中心聚集，减少了靶材原子向被镀膜工件外的区域溅射，提高了磁控溅射靶材的使用效率，从而进一步增加了磁控溅射靶材的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射靶材，其特征在于，所述磁控溅射靶材具有溅射面，所述溅射面具有磁场强度设计轮廓，且所述溅射面向磁控溅射靶材的中心凹陷。
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