[实用新型]真空腔有效
| 申请号： | 201220201550.6 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN202633249U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 朴宇钟;朴希侦 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型涉及的真空腔包括：外壳，具有用于收容或移送被处理体的空间；排气槽，形成在所述外壳的内侧面上；排气孔，形成在所述排气槽的一面上，并贯穿所述外壳；以及排气泵，与所述排气孔连接，用于排出所述外壳内部的气体。本实用新型可降低腔体的制造成本且提高排气效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 | ||
【主权项】：
真空腔，其包括：外壳，具有用于收容或移送被处理体的空间；排气槽，形成在所述外壳的内侧面上；排气孔，形成在所述排气槽的一面上，并贯穿所述外壳；以及排气泵，与所述排气孔连接，用于排出所述外壳内部的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
