[实用新型]脑部电损毁电极有效

专利信息
申请号: 201220159329.9 申请日: 2012-04-16
公开(公告)号: CN202619842U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 杨上川;胡新天;江慧慧;马原野 申请(专利权)人: 中国科学院昆明动物研究所
主分类号: A61B18/14 分类号: A61B18/14
代理公司: 昆明科阳知识产权代理事务所 53111 代理人: 李行健
地址: 650000 *** 国省代码: 云南;53
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摘要: 脑部电损毁电极,属生命科学试验研究用装置技术领域。包含有:一导管,一管塞,一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极;管塞,偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。导管起引导作用,管塞用于在套管插入时堵塞导管,以减少对导管通过路径上脑组织的损伤;偏心电极实现对距导管中心较远距离处的脑组织损毁。优点:可在一次性插入导管的情况下,对较大区域的脑结构进行电损毁,对其他部位脑组织的损伤较小,可避免现有技术在损毁较大脑结构时因多次插入所造成的出血概率增加。
搜索关键词: 脑部 损毁 电极
【主权项】:
一种脑部电损毁电极,其特征在于包含有:一导管;一能插入导管的管塞,管塞一端设能限制插入导管之深度的限位头;一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极,偏心电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头,一针形电极,针形电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头;所说管塞,偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。
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