[实用新型]分析磁场装置内腔体保护层的监测装置及分析磁场装置有效
| 申请号： | 201220158770.5 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN202564171U | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈晓;刘群超;陈中林;张兴林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/244 | 分类号： | H01J37/244;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种分析磁场装置内腔体保护层的监测装置，所述保护层设置于所述分析磁场装置的腔体内壁，包括两侧面分别覆盖绝缘层的检测电极、真空电极和监测控制单元，所述检测电极设置于所述保护层的内部，所述检测电极通过真空电极和位于腔体外部的所述监测控制单元连接。一旦离子击穿保护层及绝缘层进入检测电极或者由于保护层意外破裂使得离子进入检测电极，检测电极将该信号通过真空电极反馈到监测控制单元，使得工作人员及时知晓保护层的出现故障，以便工作人员可以及时对保护层进行检修或更换，确保离子注入工艺安全可靠进行，提高产品良率。本实用新型还公开了一种采用上述监测装置的分析磁场装置。 | ||
| 搜索关键词： | 分析 磁场 装置 内腔体 保护层 监测 | ||
【主权项】：
一种分析磁场装置内腔体保护层的监测装置，所述保护层设置于所述分析磁场装置的腔体内壁，其特征在于，包括两侧面分别覆盖绝缘层的检测电极、真空电极和监测控制单元，所述检测电极设置于所述保护层的内部，所述检测电极通过真空电极和位于腔体外部的所述监测控制单元连接。
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