[实用新型]晶体硅电池背面电极结构有效
| 申请号： | 201220148010.6 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN202549856U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 程亮;张黎明;刘鹏;姜言森;张春燕;贾河顺;徐振华;任现坤;王兆光;李玉花;张丽丽 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 张维斗 |
| 地址： | 250103 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及晶体硅太阳能电池的制造领域，一种晶体硅电池背面电极结构，其特征在于：所述电极栅线为镂空或凹陷在硅片的背面，其中镂空电极栅线为多个长方形银导体框架串联而成，各个框架之间有导线连接。本实用新型节省太阳能电池背面的电极浆料使用量，降低晶体硅太阳能电池的单瓦成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 电池 背面 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体硅电池背面电极结构，其特征在于：所述电极栅线为镂空或凹陷在硅片的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
