[实用新型]一种单片集成电容式硅微麦克风与集成电路的芯片

摘要

本实用新型公开了一种单片集成电容式硅微麦克风与集成电路的芯片，该芯片以SOI晶圆为基材，所述SOI晶圆的顶层硅的厚度根据所设计的电容式硅微麦克风的背极板的厚度选择确定，在所述顶层硅表面依次制作形成集成电路和电容式硅微麦克风，并且采用SOI晶圆的顶层硅制作电容式硅微麦克风的背极板。由于顶层硅的厚度可以根据设计的背极板的厚度事先选择确定，因此背极板厚度可控，即使受到低温淀积工艺局限也可制作出符合厚度要求的背极板，从而有效避免电容式硅微麦克风的软背极效应。

主权项

一种电容式硅微麦克风与集成电路单片集成的芯片，其特征在于，所述芯片基于SOI晶圆，所述SOI晶圆的顶层硅的厚度根据所设计的电容式硅微麦克风的背极板的厚度选择确定，在所述顶层硅表面划分有两个区域：集成电路区和电容式硅微麦克风区，其中，所述集成电路区，包括首先按照标准半导体工艺流程制作的集成电路，并在所述集成电路上预留有与电容式硅微麦克风电气连接的导电电极；所述电容式硅微麦克风区，包括采用所述SOI晶圆的顶层硅形成的可导电的背极板、在所述背极板之上形成的用于支撑振动膜的绝缘支撑体、在所述绝缘支撑体之上的可导电的振动膜，所述背极板和振动膜之间具有空气隙，所述背极板下部具有背腔，且在所述背极板上设置有贯通所述背腔和所述空气隙的若干个声孔；并且还包括在所述背极板上设置的背板电极、在所述振动膜上设置的振膜电极，以及所述背板电极和所述振膜电极分别与所述集成电路上预留的导电电极的电气连接通路。