[实用新型]全数字高功率单极脉冲磁控溅射电源有效
| 申请号： | 201220111912.2 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN203096159U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 魏殿忠;魏智博 | 申请（专利权）人： | 魏殿忠;魏智博 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 730010 甘肃省兰州市城*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种全数字式高功率单极脉冲磁控溅射电源，包括EMI滤波电路、三相桥整流电路、低频直流滤波电路、串联谐振逆变电路、储能电路、IGBT组成的固体半导体开关及DSP数字信号处理电路，通过DSP高速数字信号处理电路对各功能电路进行协调，控制管理，使高功率单极脉冲磁控溅射电源有序可靠工作，本实用新型性能稳定、效率高结构简单、寿命长。从而保证膜层质量的稳定性和一致性，通过调整高功率脉冲电源的频率和脉冲宽度，可以制备出不同要求和质量的高致密的膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 功率 单极 脉冲 磁控溅射 电源 | ||
【主权项】：
一种全数字高功率单极脉冲磁控溅射电源，其特征在于：包括EMI滤波电路、三相桥整流电路、低频直流滤波电路、串联谐振逆变充电电路、储能电路、IGBT组成的固体半导体开关及DSP数字信号处理电路；所述EMI滤波电路的输入端为总输入端，连接三相五线制交流电源，输出端接三相桥整流电路的输入端；三相桥整流电路的输出端接低频直流滤波电路的输入端，低频直流滤波电路的输出端接串联谐振逆变充电电路的输入端；串联谐振逆变充电电路的输出端通过高频升压变压器(T)接储能电路的输入端；储能电路的输出端接IGBT组成的固体半导体开关；IGBT组成的固体半导体开关的输出端为总输出端；所述DSP数字信号处理电路分别与上述各功能电路通讯连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于魏殿忠;魏智博，未经魏殿忠;魏智博许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220111912.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
