[发明专利]一种高迁移率的n型纳米金刚石薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201210594869.4 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103060767A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;冷红梅 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高迁移率n型纳米金刚石薄膜及制备方法：采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入较低剂量的杂质离子，然后对薄膜进行700~1000℃下真空退火，即得所述n型纳米金刚石薄膜。本发明所述杂质离子在薄膜中的浓度为1015～1017cm-3，纳米金刚石晶粒尺寸为3~6nm，纳米金刚石晶粒中的缺陷浓度约为1010~1012 cm-3；该薄膜为电阻率低、Hall迁移率高的n型纳米金刚石薄膜，对实现纳米金刚石薄膜在半导体器件、场致发射显示器、电化学等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 纳米 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高迁移率的n型纳米金刚石薄膜的制备方法，包括：（1）在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；（2）采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入杂质离子；所述杂质离子为磷离子、氧离子、碳离子或硼离子；所述杂质离子的注入剂量为1011~1013cm‑2、注入能量为90~100 keV；（3）将离子注入后的薄膜真空退火，退火温度为700~1000℃，即得所述高迁移率的n型纳米金刚石薄膜。
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