[发明专利]通孔和沟槽的形成方法

摘要

本发明提出一种通孔和沟槽的形成方法，在半导体衬底上形成第一介质层，接着刻蚀第一介质层形成通孔，然后在通孔中形成介质阻挡层，接着在介质阻挡层上形成第二介质层，然后对所述第二介质层进行刻蚀，形成与通孔连通的沟槽，最后去除通孔中的介质阻挡层；由于介质阻挡层能够保护通孔中第一介质层的表面，有效的防止第一介质层表面被损伤，维持第一介质层的K值，进而避免RC延迟现象恶化。此外，不再使用现有技术中的金属硬掩膜层，从而使所述沟槽的高度较低，可以降低其深宽比，使其更容易填充材料，进而降低了填充工艺的难度。

主权项

一种通孔和沟槽的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层；对所述第一介质层进行刻蚀，暴露出所述半导体衬底，形成通孔；在所述第一介质层的表面以及通孔中形成介质阻挡层；在所述介质阻挡层表面形成第二介质层；对所述第二介质层进行刻蚀，并暴露出形成于通孔中的介质阻挡层，形成与所述通孔连通的沟槽；去除通孔中的介质阻挡层。