[发明专利]三维存储器结构及其操作方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器结构及其操作方法，该三维存储器结构包括多个叠层结构垂直形成于衬底上、多个电荷捕捉复合层位于该多个叠层结构外围、多个超薄通道、和一介电层填充于超薄通道外和叠层结构之间。各叠层结构包括相连接的底部栅极，多个栅极和栅极绝缘层交错叠层于底部栅极上方，和两条选择线分隔地位于栅极的上方且独立控制，该多个选择线之间、选择线和栅极之间以及选择线的顶部是以栅极绝缘层绝缘。超薄通道位于电荷捕捉复合层外侧和衬里式地位于叠层结构之间，相邻叠层结构的相对侧面的每两超薄通道构成一超薄U形通道。两相邻叠层结构间有一字线选择器区域包括多个超薄U形通道和一对字线选择器位于超薄U形通道两侧以控制该多个超薄U形通道。

主权项

一种三维存储器结构(3D memory structure)，包括：多个叠层结构，垂直形成于一衬底上，各该叠层结构包括：一底部栅极(bottom gate)，其中该多个叠层结构的该多个底部栅极相互连接；多个栅极(gate)和多个栅极绝缘层(gate insulator)交错叠层于该底部栅极上方；和两条选择线(selection lines)分隔地位于该多个栅极上方且独立控制，该多个选择线之间、该多个选择线和该栅极之间以及该多个选择线的顶部是以该栅极绝缘层绝缘；多个电荷捕捉复合层(charge trapping multilayers)，位于该多个叠层结构外围并延伸至该多个底部栅极上；多个超薄通道(ultra‑thin channels)，位于该多个电荷捕捉复合层外侧和衬里式地位于该多个叠层结构之间(lined between the stacked structures)；和一介电层，填充于该多个超薄通道外和该多个叠层结构之间。