[发明专利]单层三元纳晶二氧化钛薄膜光阳极及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201210586110.1 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103903860A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 李勇明;邵君;杨松旺;刘岩 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042;H01G9/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭辉
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种单层三元纳晶二氧化钛薄膜光阳极及其制备方法。所述单层二氧化钛三元纳晶薄膜光阳极包括导电玻璃和位于其上的纳晶二氧化钛薄膜,其中,所述纳晶二氧化钛薄膜由三种不同粒径尺寸的锐钛矿型二氧化钛组成。该种光阳极中的二氧化钛薄膜由200~400纳米的大粒径二氧化钛散射粒子,15~60纳米的纳晶二氧化钛粒子和10纳米以下的小粒径二氧化钛高染料吸附粒子组成。该种薄膜光阳极同时具有高染料分子吸附量和高可见光能利用率的特点。该种二氧化钛薄膜只需一次印刷和一次煅烧成膜,制膜工艺简单,制造成本低,特别适用于高质量大面积薄膜电极的工业化生产。
搜索关键词: 单层 三元 纳晶二 氧化 薄膜 阳极 及其 制备 方法
【主权项】:
一种单层二氧化钛三元纳晶薄膜光阳极,所述薄膜光阳极包括导电玻璃和位于其上的纳晶二氧化钛薄膜,其中,所述纳晶二氧化钛薄膜由三种不同粒径尺寸的锐钛矿型二氧化钛组成。
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