[发明专利]氧化物薄膜晶体管、其制造的方法、具有其的显示器件及该显示器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210585093.X | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103427023A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 徐铉植;金汶九;金峰澈;李政训;柳昌逸 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法。所述氧化物薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 制造 方法 具有 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，包括：形成在基板上的栅极；形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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