[发明专利]一种制备准单晶硅的铸锭炉及制备准单晶硅的方法无效
| 申请号： | 201210583938.1 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103205807A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吕铁铮;李万辉 | 申请（专利权）人： | 江苏有能光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡;全学荣 |
| 地址： | 212132 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备准单晶硅的铸锭炉。本发明还提供了一种准单晶硅的制备方法，它是在准单晶铸锭炉中完成准单晶硅的生长，采用热交换装置，利用气体换热，控制温度、调节固液界面，生长准单晶。本发明通过使用特殊的热交换装置，用气体换热的方式替代传统的隔热笼换热方式，能精确控制籽晶温度，解决了固液界面不平坦的问题，提高准单晶比例以及提升硅料利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 单晶硅 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
一种制备准单晶硅的铸锭炉，其特征在于：包括炉体（1）、坩埚（2）、石墨柱（3）；石墨柱（3）安装在炉体（1）底部，坩埚（2）安装在石墨柱（3）上，炉体（1）和坩埚（2）有导流筒（8）相连；炉体（1）和坩埚（2）之间设有隔热装置（4）；坩埚（2）外部设置有加热装置（5）；坩埚底部设置有热交换装置（6）；热交换装置（6）上有冷气管（61）和热气管（62）与热交换器（7）连接。
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