[发明专利]一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201210581219.6 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103060907A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 刘云圻;陈建毅;黄丽平;薛运周;耿德超;罗庇荣;武斌;郭云龙;于贵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法，包括：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃，保持10-30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的绝缘材料上进行反应，反应完毕关闭所述碳源，在非氧化性气氛下冷却至室温，得到所述单晶石墨烯。该石墨烯具有规则的几何形貌，如正六变形和正十二变形。该方法工艺简单，与现有半导体工业兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘材料 制备 晶石 方法 | ||
【主权项】：
一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法，包括如下步骤：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200‑1800℃，保持10‑60分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的绝缘材料上进行反应，反应完毕关闭所述碳源，在非氧化性气氛下冷却，得到所述单晶石墨烯。
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