[发明专利]半导体发光器件和发光二极管模块无效
申请号: | 201210580141.6 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103187425A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 申永澈;高炯德 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及半导体发光器件和发光二极管模块。所述半导体发光器件包括半导体层压板,所述半导体层压板包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层以及在它们之间形成的有源层,并且将所述半导体层压板分成第一区域和第二区域。在所述第一区域上形成至少一个接触孔并且所述接触孔穿过所述有源层连接至所述第一导电类型半导体层的一部分。形成第一电极以通过所述至少一个接触孔连接至所述第一区域的第一导电类型半导体层并且连接至所述第二区域的第二导电类型半导体层。形成第二电极并将其连接至所述第一区域的第二导电类型半导体层。形成第一电极焊盘和第二电极焊盘以及支撑衬底。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 发光二极管 模块 | ||
【主权项】:
一种半导体发光器件,其包括:半导体层压板,其具有第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层,以及在所述第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间布置的有源层,并且通过分离沟槽将所述半导体层压板分成第一区域和第二区域;至少一个接触孔,其从所述第一区域的第二导电类型半导体层的底面通过所述有源层连接至所述第一导电类型半导体层的一部分;第一电极,其形成在所述第二导电类型半导体层的底面上、通过所述至少一个接触孔延伸至所述第一区域的第一导电类型半导体层、并且连接至所述第二区域的第二导电类型半导体层;第二电极,其形成在所述第一区域的第二导电类型半导体层的底面上并且连接至所述第一区域的第二导电类型半导体层;第一电极焊盘,其电连接至所述第二区域的第一导电类型半导体层;第二电极焊盘,其电连接至所述第二电极;以及具有导电性的支撑衬底,其形成在所述第二导电类型半导体层的底面上,从而电连接至所述第一电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的