[发明专利]湿法刻蚀后的清洗方法有效
| 申请号： | 201210579772.6 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103021817B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨冰 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种湿法刻蚀后的清洗方法，以保证湿法刻蚀后硅片表面满足质量检验要求。该清洗方法包括完成金属铝湿法刻蚀工艺后，进行第一次湿法去除硅屑残留；通过光刻工艺在经湿法刻蚀后的金属铝上形成光刻胶；进行光刻胶烘干；进行光刻胶干法灰化；以及进行第二次湿法去除硅屑残留。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀后的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：通过第一次光刻工艺在金属铝上形成图形化的光刻胶；进行光刻胶烘干；进行光刻胶干法灰化；以所述图形化的光刻胶为掩膜，以各向同性湿法刻蚀所述金属铝以形成沟槽，所述沟槽贯穿所述金属铝下方的薄氧化层并延伸至衬底，使所述衬底产生硅屑；其中所述薄氧化层的厚度小于所述沟槽的宽度；去除所述光刻胶；进行第一次湿法去除硅屑残留；通过与所述第一次光刻工艺的工艺条件相同的第二次光刻工艺在经湿法刻蚀后的金属铝上形成图形化的光刻胶；进行光刻胶烘干；进行光刻胶干法灰化；进行与所述第一次湿法去除硅屑残留的工艺条件相同的第二次湿法去除硅屑残留。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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