[发明专利]ECR-PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法

摘要

ECR-PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法，属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行：（1）把普通康宁玻璃片清洗基片送入镀膜室；（2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空至1.0×10-3Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氧气、氩气携带的二乙基锌以及氩气携带的三甲基镓或三甲基铝，其中氧气、二乙基锌、三甲基镓的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:（1~2）,氧气、二乙基锌、三甲基铝的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:1；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应1~30min,得到Ga或Al掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓掺杂ZnO或者铝掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有性能优异、易于实现大面积生产的产业化的优势。

主权项

一种ECR‑PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：（1）把普通康宁玻璃片用丙酮、乙醇和去离子水清洗干净后，用氮气吹干作为基片送入镀膜室；（2）采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空至1.0×10‑3 Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氧气、氩气携带的二乙基锌以及氩气携带的三甲基镓或三甲基铝，其中氧气、二乙基锌、三甲基镓的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:（1~2）, 氧气、二乙基锌、三甲基铝的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:1；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应1~30min, 得到Ga或Al掺杂ZnO光电透明导电薄膜。