[发明专利]一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法在审
| 申请号： | 201210577040.3 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103066008A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，包括：第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽，其中第一凹槽的深宽比大于第二凹槽的深宽比；第二步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽进行化学气相沉积，从而在第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部形成电介质；第三步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度；第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀；第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽和第二凹槽进行电介质填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 闪存 隔离工艺 凹槽 电介质 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高闪存浅槽隔离工艺中凹槽电介质填孔能力的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于形成闪存的存储器单元区域中的第一凹槽以及闪存的外围电路区域中的第二凹槽，其中第一凹槽的深宽比大于第二凹槽的深宽比；第二步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽进行化学气相沉积，从而在第一凹槽和第二凹槽的侧壁及底部形成电介质；第三步骤，用于对第一凹槽和第二凹槽执行带角度的离子注入，其中所注入的离子增大了被注入电介质的刻蚀速度；第四步骤，用于对第二步骤沉积的电介质进行刻蚀；第五步骤，用于在第四步骤之后对第一凹槽和第二凹槽进行电介质填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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