[发明专利]硅锭的制备方法有效
| 申请号： | 201210573190.7 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103014833A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李飞龙;许涛;翟传鑫;蒋俊峰;郭庆红;张伟娜;王珊珊;仝姗姗 | 申请（专利权）人： | 阿特斯（中国）投资有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅锭的制备方法。该方法包括：S1.在坩埚底部中央位置放置若干单晶硅块，在坩埚底部未放置单晶硅块的区域均匀铺设碎硅料，在单晶硅块上方放置一多晶复熔硅块，最后装入硅原料；S2.将坩埚置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，并加热至一定温度后向上打开侧部隔热笼至一定位置，保持坩埚底部温度低于碎硅料的熔点且坩埚上下具有较大温差，再调节控温热电偶控制硅原料熔化界面的推进速度，待碎硅料部分熔化后进入长晶阶段；S3.调节控温热电偶温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使熔硅在未熔化的单晶硅块和碎硅料上生长；S4.待熔硅结晶完后经退火和冷却形成中心部分为单晶、边缘部分为均匀小晶粒的硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅锭的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：S1，在坩埚底部中央位置放置若干单晶硅块，在坩埚底部未放置单晶硅块的区域均匀铺设碎硅料，在单晶硅块上方放置一具有规则形状的多晶复熔硅块，最后装入铸锭用硅原料；S2，将上述装有硅料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热至一定温度后向上打开定向凝固铸锭炉侧部隔热笼至一定位置，保持坩埚底部温度低于碎硅料的熔点且坩埚上下具有较大温差，再调节控温热电偶控制硅原料熔化界面的推进速度，待碎硅料部分熔化后进入长晶阶段；S3，进入长晶阶段后调节控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在未熔化的单晶硅块和碎硅料上生长；S4，待熔硅结晶完后经退火和冷却形成中心部分为单晶、边缘部分为均匀小晶粒的硅锭。
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