[发明专利]高导电性有机(无机)/金属/无机(有机)多层结构透明导电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210570298.0 申请日: 2012-12-25
公开(公告)号: CN103035845A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 刘星元;郭晓阳;范翊 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 张伟
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种高导电性有机(无机)/金属/无机(有机)多层结构透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在刚性或柔性平面基板上制备第一介质层;在所述的第一介质层上制备金属层;在所述的金属层上制备第二介质层;所述第一介质层的材料为任意一种有机或无机半导体材料,或任意多种有机或无机半导体材料的混合物;所述第二介质层的材料为任意一种无机或有机半导体材料,或任意多种无机或有机半导体材料的混合物。本发明的高导电性有机(无机)/金属/无机(有机)多层结构透明导电薄膜,具有较高的可见光透过率以及较低的面电阻,具有在薄膜太阳能电池及有机发光二极管等光电器件领域应用的潜质。
搜索关键词: 导电性 有机 无机 金属 多层 结构 透明 导电 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种高导电性有机(无机)/金属/无机(有机)多层结构透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤i、在刚性或柔性平面基板上制备第一介质层;步骤ii、在所述的第一介质层上制备金属层;步骤iii、在所述的金属层上制备第二介质层;所述第一介质层的材料为任意一种有机或无机半导体材料,或任意多种有机或无机半导体材料的混合物;所述第二介质层的材料为任意一种无机或有机半导体材料,或任意多种无机或有机半导体材料的混合物。
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