[发明专利]砷化镓赝配高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 201210570062.7 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103123933A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 章军云;高建峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管，包括：衬底、AlGaAs缓冲层、势垒层、低掺杂GaAs层、高掺杂GaAs层、源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间提供第一凹槽，在第一凹槽内提供第二凹槽，在第二凹槽内设置金属层，所述金属层包括第一栅金属子层、第二栅金属子层、第三栅金属子层、第四栅金属子层、第五栅金属子层，在势垒层中生长势垒金属层。本发明与现有技术相比，能够抑制栅泄漏电流，提高晶体管的栅漏、栅源击穿电压，提升GaAs晶体管的可靠性能；相比普通的纯Pt栅其离GaAs的距离更大，进一步提升GaAs增强型晶体管的可靠性能；且本发明能很好的解决采用Pt为栅势垒与介质辅助成型的T型栅工艺之间的矛盾，充分发挥T型栅工艺的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓赝配高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管，包括：衬底（1）、AlGaAs缓冲层（2）、势垒层（3）、低掺杂GaAs层（4）、高掺杂GaAs层（5）、源电极（6）和漏电极（7），在源电极（6）和漏电极（7）之间提供第一凹槽（8），在第一凹槽（8）内提供第二凹槽（10），其特征在于：在第二凹槽（10）内设置金属层，所述金属层包括第一栅金属子层（11）、第二栅金属子层（12）、第三栅金属子层（13）、第四栅金属子层（14）、第五栅金属子层（15），在势垒层（3）中生长势垒金属层（17）。
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