[发明专利]使用激光烧蚀形成硅通孔的方法无效
| 申请号： | 201210570042.X | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103208566A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 金义锡;方祥圭;赵秀贤;金秋浩;池元秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;鲁恭诚 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了通过使用激光烧蚀形成硅通孔的方法。所述方法包括：激光打孔，以通过将激光束照射到硅片的上表面上来形成多个凹槽；以及研磨硅片的下表面，以通过在硅片的下表面上暴露所述凹槽来形成多个硅通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 激光 形成 硅通孔 方法 | ||
【主权项】：
一种通过使用激光烧蚀形成硅通孔的方法，所述方法包括以下步骤：激光打孔，以通过将激光束照射到硅片的上表面上来形成多个凹槽；以及研磨硅片的下表面，以通过在硅片的下表面上暴露所述凹槽来形成多个硅通孔。
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