[发明专利]存储单元的读取电路和存储器在审
| 申请号： | 201210568075.0 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103077745A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 肖军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储单元的读取电路和存储器，所述读取电路适用于读取存储单元中的n位存储值（n大于1），包括：电流镜单元，具有输入端和多个输出端；参考支路，包括源、漏极中的一个电性连接所述电流镜单元的输入端，另一个用于电性连接存储单元的输出端的第一钳位晶体管；多条输出支路，每条输出支路包括源、漏极中的一个电性连接所述基准电阻，另一个电性连接所述电流镜单元的一个输出端的第二钳位晶体管与基准电阻；其中，第一钳位晶体管的栅极和多个输出支路中的多个第二钳位晶体管的栅极共同接至同一偏置电压；多个输出支路中的多个基准电阻具有多个阻值。本发明提供的读取存储单元电路对工艺要求低，便于生产和实现精度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 读取 电路 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储单元的读取电路，其特征在于，包括：电流镜单元，具有输入端和多个输出端；参考支路，包括第一钳位晶体管，所述第一钳位晶体管的源、漏极中的一个电性连接所述电流镜单元的输入端，另一个用于电性连接存储单元的输出端；多条输出支路，每条输出支路包括第二钳位晶体管与基准电阻，所述第二钳位晶体管的源、漏极中的一个电性连接所述基准电阻，另一个电性连接所述电流镜单元的一个输出端；其中，所述第一钳位晶体管的栅极和多个输出支路中的多个第二钳位晶体管的栅极共同接至同一偏置电压；所述多个输出支路中的多个基准电阻具有多个阻值。
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