[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210566560.4 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103887259A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 胡志玮;叶腾豪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括多个叠层结构以及多个接触结构，其中各叠层结构包括多个导电条与多个绝缘条，导电条与绝缘条交错设置(interlaced)，各接触结构分别电性连接于各叠层结构；接触结构包括一第一导电柱(conductive pillar)、一介电材料层、一金属硅化物层及一第二导电柱；介电材料层环绕第一导电柱的侧面，金属硅化物层形成于第一导电柱的上表面上，第二导电柱形成于金属硅化物层上，该多个第一导电柱的上表面为同平面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：多个叠层结构，其中各该叠层结构包括多个导电条与多个绝缘条，该多个导电条与该多个绝缘条交错设置(interlaced)；以及多个接触结构，各该接触结构分别电性连接于各该叠层结构，各该接触结构包括：一第一导电柱(conductive pillar)；一介电材料层，环绕该第一导电柱的侧面；一金属硅化物层，形成于该第一导电柱的上表面上；及一第二导电柱，形成于该金属硅化物层上；其中，该多个第一导电柱的上表面为同平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210566560.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
