[发明专利]一种多值阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210564552.6 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103078053A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 黄如;陈诚;蔡一茂;张耀凯 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种多值阻变存储器及其制备方法。一种多值阻变存储器，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态。本发明实施例中的多值RRAM通过设置多层阻变层，并使这多层阻变层在外加电压作用下可以依次由低阻态转变为高阻态，实现了该RRAM的多阻值存储，而且，由于各阻变层在不同的阻态之间的转变比较好控制，某一阻变层由低阻态转变为高阻态时也不会影响其他阻变层的阻态，多值RRAM的稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多值阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多值阻变存储器，其特征在于，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210564552.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
