[发明专利]MEMS压力传感器阵列、其制作方法及压力测量方法

摘要

不同于采用空腔内压强为某一特定大小的MEMS压力传感器进行压力测量的方案，本发明采用位于同一芯片的每个空腔内压强大小不等的多个MEMS压力传感器，即MEMS压力传感器阵列进行压力测量，当外界压强变化时，尤其变化剧烈时，使得至少一个MEMS压力传感器的空腔内压强可能接近测量环境的压强，利用该MEMS压力传感器的敏感薄膜在平衡位置（上下压强接近）附近具有的较好线性度，从而实现对外界压力测量准确的目的，此外，相对于特定空腔内压强的压力传感器，也可以实现较大压强范围的测量。基于上述MEMS压力传感器阵列，本发明还提供了该MEMS压力传感器阵列的制作方法，用于该MEMS压力传感器阵列的压力测量方法。

主权项

一种MEMS压力传感器阵列，其特征在于，包括：位于同一芯片的n个MEMS压力传感器，n≥2，每个所述MEMS压力传感器具有第一电极、适于用作第二电极的图形化的敏感薄膜及两者之间形成的空腔，各MEMS压力传感器的空腔内的压强分别为P1、P2…Pn，其中，P1、P2....Pn互不相等。